[发明专利]用于忆阻器阵列接口的竖直JFET器件在审
| 申请号： | 201880092620.9 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN112005382A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | A·S·沙玛;J·P·斯特罗恩;M·福汀 | 申请（专利权）人： | 慧与发展有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/66;H01L29/732 |
| 代理公司： | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人： | 初媛媛;吴丽丽 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了器件和方法。在一个方面，一种用于驱动忆阻器阵列的器件包括衬底，该衬底包括具有底部层、第一壁以及第二壁的阱。衬底由第一半导体材料制成的应变层形成。在阱中形成竖直JFET。竖直JFET包括形成在阱的中间部分中的竖直栅极区，其中，栅极区高度小于阱的深度。沟道区由第二半导体制成的外延层形成，该外延层围绕竖直栅极区。竖直源极区形成在竖直栅极区的第一端的两侧上，并且竖直漏极区形成在竖直栅极区的第二端的两侧上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 忆阻器 阵列 接口 竖直 jfet 器件 | ||
【主权项】：
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