[发明专利]用于原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)的前体化合物以及使用其的ALD/CVD工艺有效
| 申请号： | 201880092457.6 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN112020504B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 黄贞云;文基宁;李珠源;廉圭玄;昔壮衒;朴正佑 | 申请（专利权）人： | 韩松化学株式会社 |
| 主分类号： | C07F5/06 | 分类号： | C07F5/06;C07F3/06;C23C16/40;C23C16/34;C23C16/18;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 闫茂娟;郗名悦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及适合在通过原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)的薄膜沉积中使用的前体化合物和更特别地涉及不易燃的前体化合物，并且涉及使用其的ALD/CVD工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 原子 沉积 ald 化学 cvd 化合物 以及 使用 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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