[发明专利]三维电阻式存储器及允许获得这种存储器的方法在审

专利信息
申请号: 201880088269.6 申请日: 2018-12-18
公开(公告)号: CN111656547A 公开(公告)日: 2020-09-11
发明(设计)人: 卡里尔·埃尔·哈贾姆;加布里埃尔·莫拉斯;让-弗朗索瓦·诺丁 申请(专利权)人: 法国原子能及替代能源委员会
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;H01L27/24
代理公司: 中国商标专利事务所有限公司 11234 代理人: 桑丽茹
地址: 法国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的一个方面是根据前一项权利要求的存储器(CO),所述存储器包括多个第一电极(EP),称为扁平电极(EP),多个扁平电极(EP)中的每个扁平电极(EP)限定平面(P);第二电极(EV),称为垂直电极(EV),该第二电极基本上沿着垂直于由每个扁平电极(EP)限定的平面的轴线(Z)延伸;多个第三电极(EF),称为浮动电极,多个浮动电极(EF)中的每个浮动电极(EF)位于多个扁平电极(EP)中的扁平电极(EP)与垂直电极(EV)之间;多个绝缘材料的第一层CI,多个扁平电极EP中的每个扁平电极EP通过多个绝缘材料的第一层CI中的绝缘材料的第一层CI与前一个和/或后一个扁平电极隔开,多个第一活性材料的第一层(C1),活性材料的每个层(C1)隔开多个扁平电极(EP)中的扁平电极(EP)以及其相关联的浮动电极(EF);第二活性材料的第二层,该第二活性材料的第二层将垂直电极(EV)与多个浮动电极(EF)中的浮动电极(EF)隔开;第一活性材料能够形成选择器(SE)或存储点(PM),并且第二活性材料能够形成存储点(PM)或选择器(SE)。
搜索关键词: 三维 电阻 存储器 允许 获得 这种 方法
【主权项】:
暂无信息
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