[发明专利]掩模版增强技术中的设计的建模在审
申请号: | 201880083241.3 | 申请日: | 2018-12-12 |
公开(公告)号: | CN111758072A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | P.J.恩加尔 | 申请(专利权)人: | D2S公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F7/20 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 胡琪 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 用于掩模版增强技术(RET)的方法包括:将目标晶片图案或所预测晶片图案表示为作为函数样本数组捕获的平滑函数,所述函数样本数组是函数值的数组。提供连续色调掩模(CTM),其中所述CTM用于产生所预测晶片图案。用于RET的方法还包括:输入目标晶片图案,其中所述目标晶片图案跨越整个设计区域。将所述整个设计区域划分成多个图块,每个图块具有围绕所述图块的光晕区。迭代所述整个设计区域的所提议掩模,直到所提议掩模满足产生所述目标晶片图案的标准为止。每次迭代包括:针对所述多个图块的子集计算所预测晶片图案;以及更新所述图块的所提议掩膜;其中所述子集中的所有图块都在下一迭代之前被计算。 | ||
搜索关键词: | 模版 增强 技术 中的 设计 建模 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于D2S公司,未经D2S公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201880083241.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:店铺
- 下一篇:用于根器官培养物的生物反应器
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备