[发明专利]减少用于显示应用的存储电容器的漏电流的方法在审
| 申请号： | 201880078075.8 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN111566833A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 翟羽佳;芮祥新;赵来;崔寿永;杰瑞安·杰瑞·陈 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开内容的实施方式总体涉及一种形成用于显示应用的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的方法。所述方法包括：在基板上方形成金属电极；及在处理腔室中将所述金属电极暴露于含氮等离子体。在将所述金属电极暴露于所述含氮等离子体时，维持所述基板在范围为约20摄氏度至约200摄氏度的温度，这将所述金属电极的表面转化为氮化物。所述方法还包括在同一处理腔室中在所述金属电极的氮化物表面上形成高K介电层。通过对所述金属电极的等离子体处理，减少了所述MIM电容器的漏电流并改进了所述MIM电容器的击穿场。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 用于 显示 应用 存储 电容器 漏电 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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