[发明专利]磁传感器、测量装置及磁传感器的制造方法有效
| 申请号： | 201880075250.8 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN111373276B | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 远藤大三 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02;G01D5/245;G01P3/488;H10N50/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;唐峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 磁传感器1具备：薄膜磁铁20，其由硬磁体层103构成，且在面内方向上具有磁各向异性；和感应部30，其具备通过磁阻抗效应来感应磁场的感应元件31，所述感应元件31由在硬磁体层103上层叠设置的软磁体层105构成，具有长边方向和短边方向，长边方向朝向薄膜磁铁20产生的磁场的方向，并且在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，薄膜磁铁20和感应元件31被设置为：与和薄膜磁铁20的一个磁极呈对向地设置于外部的对向构件构成磁路。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 测量 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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