[发明专利]用于在非易失性存储器中的字编程的偏置方案以及抑制干扰减小在审
| 申请号： | 201880073445.9 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN111758129A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | G·梅内塞斯;克里希纳斯瓦米·库马尔;A·克沙瓦尔齐;范卡特拉曼·普拉哈卡 | 申请（专利权）人： | 经度快闪存储解决方案有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;H01L29/788 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种存储器器件，包括非易失性存储器(NVM)阵列，该NVM阵列被划分为闪存存储器部分和电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)部分。该NVM阵列包括以行和列布置的电荷俘获存储器单元，其中，每个存储器单元具有：存储器晶体管，该存储器晶体管包括成角度的轻掺杂漏极(LDD)注入区；以及选择晶体管，该选择晶体管包括具有晕环状注入区的共享源极区域。该闪存存储器部分和该EEPROM部分设置在一个单一半导体裸片内。还披露了其他实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 非易失性存储器 中的 编程 偏置 方案 以及 抑制 干扰 减小 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于经度快闪存储解决方案有限责任公司，未经经度快闪存储解决方案有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880073445.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
