[发明专利]用于制造光电子器件的方法和光电子器件在审
| 申请号： | 201880065113.6 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN111183525A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | C.施瓦尔兹梅尔;M.曼德尔;R.瓦尔特;R.斯蒂格尔梅尔;M.施马尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗OLED有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 任丽荣 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造光电子器件(100)的方法，该方法具有如下步骤：A)在载体(7)上提供半导体层序列(1)，其中，半导体层序列(1)设置用于发射辐射，其中，半导体层序列(1)具有至少一个n型掺杂的半导体层(11)、至少一个p型掺杂的半导体层(12)和布置在p型和n型掺杂的半导体层(11、12)之间的有源层(13)，B)将接触层(3)直接施加到半导体层序列(1)上，接触层阻止或减少镜面层(4)的材料的扩散，其中，接触层(3)具有最大10nm的层厚度，C)将镜面层(4)直接施加到接触层(3)上，并且D)将势垒层(5)直接施加到镜面层(4)上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 光电子 器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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