[发明专利]用于制造半导体器件的方法以及半导体器件有效
| 申请号： | 201880060529.9 | 申请日： | 2018-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN111095526B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 乔治·帕特德尔;约亨·克拉夫特;拉斐尔·科佩塔 | 申请（专利权）人： | AMS有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 谢攀;刘继富 |
| 地址： | 奥地利普*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种用于制造半导体器件(10)的方法。该方法包括以下步骤：提供半导体主体(11)；在半导体主体(11)中沿垂直方向(z)形成沟槽(12)，该垂直方向(z)垂直于半导体主体(11)的延伸主平面；以及用隔离层(14)涂覆沟槽(12)的内壁(13)。该方法还包括以下步骤：用金属化层(15)涂覆内壁(13)处的隔离层(14)；至少部分地用导电接触层(17)涂覆半导体主体(11)的、形成有沟槽(12)的顶侧(16)，其中，接触层(17)与金属化层(15)电连接；用覆盖层(24)涂覆沟槽(12)并且至少部分地涂覆半导体主体(11)的顶侧(16)，以及通过至少部分地去除接触层(17)和覆盖层(24)，在半导体主体(11)的顶侧(16)处形成接触焊盘(18)。此外，提供一种半导体器件(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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