[发明专利]光刻方法和设备在审
| 申请号： | 201880057965.0 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN111051992A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | P·H·P·科勒;M-J·斯皮杰克曼;J·J·M·巴塞曼斯 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 崔卿虎 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种确定对变迹测量的传感器贡献的方法。该方法包括：当孔处于具有第一孔直径的第一配置中时，将辐射束引导穿过孔，第一孔直径小于辐射束的直径；在传感器处接收辐射束；获得由传感器在传感器的第一区域中所检测的辐射量的第一测量，其中辐射束没有入射在第一区域上；以及基于第一测量来确定对变迹测量值的传感器贡献。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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