[发明专利]光刻方法和设备

说明书

一种确定对变迹测量的传感器贡献的方法。该方法包括：当孔处于具有第一孔直径的第一配置中时，将辐射束引导穿过孔，第一孔直径小于辐射束的直径；在传感器处接收辐射束；获得由传感器在传感器的第一区域中所检测的辐射量的第一测量，其中辐射束没有入射在第一区域上；以及基于第一测量来确定对变迹测量值的传感器贡献。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年9月7日提交的EP申请17189827.3的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及光刻方法和设备。

背景技术

光刻设备是被构造为将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以使用图案化装置(可替代地被称为掩模或掩模版)来生成与IC的单独的层相对应的电路图案，并且可以将该图案成像到衬底(例如，硅晶片)上具有辐射敏感材料(抗蚀剂)层的目标部分(例如，包括一个或多个管芯的一部分)上。通常，单个衬底将包含相邻目标部分被连续曝光的网络。已知的光刻设备包括所谓的步进器以及所谓的扫描器，在所谓的步进器中，通过将整个图案一次曝光到目标部分上来照射每个目标部分，在所谓的扫描器中，通过借助光束在给定方向(“扫描”方向)上对图案进行扫描，同时同步地平行或反平行于该方向扫描衬底来照射每个目标部分。

光刻设备包括照射系统和投影系统。浸没式光刻设备还包括液体层。照射系统和投影系统均具有固有的变迹性质。变迹描述了穿过光学系统(诸如照射系统和投影系统)的辐射的角传输。期望确定投影系统的变迹性质，使得可以考虑由投影系统的变迹性质导致的光刻误差。光电检测器(或相机)可以用于测量传递穿过光刻设备的辐射的角强度分布。但是，光电检测器的输出包含照射系统的变迹贡献、投影系统的变迹贡献以及光电检测器本身的贡献。通过引用并入本文的美国专利号US9261402描述了从测量值中去除照射系统变迹贡献的技术。期望提供例如确定光电检测器对光刻设备的投影系统的变迹测量值的贡献的方法，该方法避免或减轻现有技术中无论是在本文中还是在其他地方指出的一个或多个问题。

发明内容

变迹可能对投影系统的成像性能产生负面影响，从而对光刻设备的性能产生负面影响。可以使用光刻设备内的传感器来确定光刻设备的变迹性质。使用传感器进行的测量可以包括传感器本身的角度相关性质，其对变迹测量的准确性产生负面影响。

一旦确定，就可以从投影系统的未来变迹测量值中去除对变迹测量值的传感器贡献，从而使得能够更准确地确定投影系统的变迹性质。然后，在执行光刻曝光时可以考虑所确定的投影系统的变迹性质，从而使得能够实现更准确的光刻曝光。

根据本文所述的第一方面，提供了一种确定对变迹测量的传感器贡献的方法。该方法包括当孔处于具有第一孔直径的第一配置中时，将辐射束引导穿过孔。第一孔直径可以小于辐射束的直径。辐射束在传感器处被接收，并且获得由传感器在传感器的第一区域中所检测的辐射强度的第一测量，其中辐射束不入射在第一区域上。然后可以基于第一测量来确定对变迹测量的传感器贡献。通过在已知没有辐射入射的传感器的区域中测量传感器所检测的辐射强度，在那些区域处检测到的任何辐射都可以认为由传感器伪影引起并且因此可以用于确定对变迹测量的传感器贡献。

该方法可以进一步包括：调节孔，使得孔处于具有第二孔直径的第二配置中，其中第二孔直径与第一孔直径不同，并且第二孔直径小于辐射束的射束直径；以及获得由传感器在传感器的第二区域中所检测的辐射量的第二测量，其中第二区域与第一区域不同并且辐射束不入射在第二区域上。确定对变迹测量的传感器贡献可以基于第一测量和第二测量。这样，可以表征传感器贡献的径向分量。

传感器的第二区域可以与传感器的第一区域至少部分地重叠。备选地，传感器的第二区域可以与传感器的第一区域完全不同。在每种情况下，调节孔直径以便改变传感器的非入射区域允许确定对传感器的不同区域的变迹测量的传感器贡献。