[发明专利]磁传感器的制造方法及磁传感器集合体在审
| 申请号： | 201880056955.5 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN111051910A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 远藤大三 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李国卿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 磁传感器的制造方法，其包括下述工序：软磁体层堆积工序，利用磁控溅射在基板10上堆积软磁体层101，所述软磁体层101构成对磁场进行感应的感应部21；和感应部形成工序，在软磁体层101的被用于磁控溅射的磁场赋予了单轴磁各向异性的部分，形成对磁场进行感应的感应部21。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 制造 方法 集合体 | ||
【主权项】：
暂无信息
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