[发明专利]等离子体异常判定方法、半导体器件的制造方法、以及基板处理装置在审
| 申请号： | 201880052233.2 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN111096080A | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 竹田刚;西野达弥 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H05H1/00 | 分类号： | H05H1/00;C23C16/52;H01L21/31;H01L21/318;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 曾贤伟;郝庆芬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够判定等离子体的异常的技术。提供以下的技术，即，使用配置在处理室内的拍摄装置，拍摄向上述处理室内供给等离子体化了的气体的气体供给口，根据所拍摄的上述气体供给口的图像，检测等离子体的发光强度，根据检测出的发光强度，判定有无发生等离子体的异常放电和有无发生闪烁中的至少一方。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 异常 判定 方法 半导体器件 制造 以及 处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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