[发明专利]1,1,1-三氯乙硅烷的合成有效
| 申请号： | 201880051020.8 | 申请日： | 2018-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN110997683B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | A·米尔沃德;B·D·瑞肯;T·森德兰;J·K·杨;X·周 | 申请（专利权）人： | 南大光电半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C07F7/02 | 分类号： | C07F7/02;C01B33/107;C30B21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 钱文宇;陈哲锋 |
| 地址： | 239000 安徽省滁州市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种制造三卤代乙硅烷的方法，所述方法包括：将还原有效量的烷基氢化铝、包含至少4个卤素原子的卤代乙硅烷、和溶剂在150℃的温度下组合，并还原所述卤代乙硅烷以形成包含三卤代乙硅烷和烷基卤化铝的反应产物混合物。 | ||
| 搜索关键词： | 三氯乙 硅烷 合成 | ||
【主权项】：
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