[发明专利]抗蚀剂下层膜形成用新型聚合物、包含其的抗蚀剂下层膜形成用组合物和利用该组合物制造半导体元件的方法在审
| 申请号： | 201880049559.X | 申请日： | 2018-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN111225934A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 郑旼镐;李濫揆;咸珍守;李建杓;李光国;李光浩;李惠玲;黄秀英 | 申请（专利权）人： | SK新技术株式会社;SK综合化学株式会社 |
| 主分类号： | C08G61/02 | 分类号： | C08G61/02;G03F7/11;G03F7/004;H01L21/027;G03F7/09;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 安玉;刘成春 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于半导体和显示器的制造工艺的具有新结构的聚合物、包含该聚合物的用于半导体和显示器的制造工艺的下层膜组合物以及利用该下层膜组合物制造半导体元件的方法，更具体地，本发明的新型聚合物具有优化的蚀刻选择比和平坦化特性以及优异的耐热性，因此包含该聚合物的下层膜组合物可以在半导体多层光刻工艺中用作硬掩膜。 | ||
| 搜索关键词： | 抗蚀剂 下层 形成 新型 聚合物 包含 组合 利用 制造 半导体 元件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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