[发明专利]抗蚀剂下层膜形成用新型聚合物、包含其的抗蚀剂下层膜形成用组合物和利用该组合物制造半导体元件的方法

权利要求书

1.一种聚合物，包含由以下化学式1表示的重复单元：

[化学式1]

所述化学式1中，

Y为取代或未取代的C6-C30芳环；

A为取代或未取代的C6-C30芳环；

X₁为C10-C30芳环；

a为1～4的整数；

所述Y、A及X₁的碳原子数之和至少为30。

2.根据权利要求1所述的聚合物，其中，所述聚合物包含由以下化学式2表示的部分：

[化学式2]

所述化学式2中，

X为C10-C30芳环；

Y为取代或未取代的C6-C30芳环；

A为取代或未取代的C6-C30芳环；

X₁为C10-C30芳环；

a和b各自独立地为1～4的整数；

m为1～30的整数。

3.根据权利要求1所述的聚合物，其中，所述A选自以下结构：

所述结构中，R₁至R₃各自独立地为氢、C1-C20烷氧基、C3-C20环烷氧基、C6-C20芳氧基、SR₄或NR₅R₆；

R₄至R₆各自独立地为氢、C1-C20烷基、C3-C20环烷基或C6-C20芳基；

L₁为CR₇R₈或C＝R₉；

R₇和R₈各自独立地为氢、C1-C20烷基、C3-C20环烷基或C6-C20芳基；

R₉为C1-C20烷叉基或C3-C20环烷叉基。

4.根据权利要求1所述的聚合物，其中，所述Y选自以下结构：

所述结构中，R₁₁至R₁₃各自独立地为氢、C1-C20烷氧基、C3-C20环烷氧基、C6-C20芳氧基、SR₁₄或NR₁₅R₁₆；

R₁₄至R₁₆各自独立地为氢、C1-C20烷基、C3-C20环烷基或C6-C20芳基；

L₁₁为CR₁₇R₁₈或C＝R₁₉；

R₁₇和R₁₈各自独立地为氢、C1-C20烷基、C3-C20环烷基或C6-C20芳基；

R₁₉为C1-C20烷叉基或C3-C20环烷叉基。

5.根据权利要求2所述的聚合物，其中，所述X和X₁各自独立地选自以下结构：

6.根据权利要求1所述的聚合物，其中，所述聚合物的重均分子量为500～50000。

7.根据权利要求1所述的聚合物，其中，所述聚合物包含选自以下结构中的结构：

所述结构中，m为1～30的整数。

8.一种抗蚀剂下层膜组合物，包含权利要求1至7中任一项所述的聚合物和有机溶剂。

9.根据权利要求8所述的抗蚀剂下层膜组合物，其中，相对于所述抗蚀剂下层膜组合物的总量，所述聚合物的含量为0.5～50重量％，所述有机溶剂的含量为50～99.5重量％。