[发明专利]利用离子植入的极紫外光光致抗蚀剂的效能改善在审
| 申请号： | 201880048752.1 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN110945431A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 崔斯坦·马;戴辉雄;安东尼·雷诺;约翰·哈塔拉;约瑟·欧尔森 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/74;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种对衬底进行图案化的方法可包括：在所述衬底上提供毯覆式光致抗蚀剂层；向所述毯覆式光致抗蚀剂层中执行植入物质的离子植入程序，所述植入物质在极紫外光(EUV)范围中的波长下包括增强的吸收效率；以及在所述执行所述离子植入程序之后，执行图案化曝光，以将所述毯覆式光致抗蚀剂层曝光于极紫外光辐射。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 离子 植入 紫外 光光 致抗蚀剂 效能 改善 | ||
【主权项】：
暂无信息
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