[发明专利]对准光刻掩膜板的方法和在半导体材料的晶圆中制造集成电路的相应工艺有效

专利信息
申请号: 201880046713.8 申请日: 2018-07-13
公开(公告)号: CN110892331B 公开(公告)日: 2022-11-01
发明(设计)人: 詹卢卡·欧金尼 申请(专利权)人: 拉芳德利责任有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F9/00
代理公司: 北京允天律师事务所 11697 代理人: 李建航;高源
地址: 意大利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种用于半导体材料晶圆中的集成电路的制造工艺的光学掩模板对准方法,该方法设想:在第一层处,通过单个光刻工艺在晶圆上限定至少一个对准结构,该对准结构具有至少第一参考标记和第二参考标记;以及在高于第一层的上层处,相对于至少一个第一参考标记对准第一场掩膜板;以及相对于至少一个第二参考标记对准第二场掩膜板,使得第一场掩膜板和第二场掩膜板在没有任何相互重叠的情况下,在第一连接方向上彼此相邻地布置在晶圆上,该第二场掩膜板与第一场掩膜板一起用于集成电路在晶圆中的相应管芯内的光刻成形。
搜索关键词: 对准 光刻 掩膜板 方法 半导体材料 晶圆中 制造 集成电路 相应 工艺
【主权项】:
暂无信息
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