[发明专利]正极活性物质的制造方法以及二次电池在审

申请号：	201880029345.6	申请日：	2018-04-19
公开（公告）号：	CN110603673A	公开（公告）日：	2019-12-20
发明（设计）人：	门马洋平;三上真弓;内田彩;町川一仁	申请（专利权）人：	株式会社半导体能源研究所
主分类号：	H01M4/525	分类号：	H01M4/525;H01M4/36;H01M10/0566
代理公司：	72001 中国专利代理(香港)有限公司	代理人：	何欣亭;杨美灵
地址：	日本神奈***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	提供一种能够提高二次电池的循环特性的正极活性物质及其制造方法。通过利用喷雾干燥处理使用石墨烯化合物将固体电解质附着于锂化合物，将由加热处理使碳从石墨烯化合物挥发而成的正极活性物质作为正极使用，可以抑制在制造二次电池时接触于正极活性物质的电解液的分解且提高二次电池的循环特性。
搜索关键词：	正极活性物质二次电池循环特性石墨烯正极固体电解质加热处理喷雾干燥锂化合物电解液挥发附着制造分解
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【主权项】：

1.一种正极活性物质粒子的制造方法，包括如下步骤：/n将包括包含锂、过渡金属元素及氧的锂化合物粒子、石墨烯化合物、固体电解质以及溶剂的悬浮液喷雾；以及/n通过加热将在表面上包含的碳替换为碳酸气体而挥发。/n

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锂离子电池用活性物质颗粒的制造方法-201580030992.5
发明人：川村博昭;田林未幸;久保田泰生 -专利权人：东丽株式会社
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01M4/525
摘要：[课题]连续地制造具有纳米级的小粒径且具有高结晶性的锂离子电池用活性物质颗粒。[解决手段]锂离子电池用活性物质颗粒的制造方法，其特征在于，具有下述步骤：使通过混合而引发化学反应从而能够生成锂离子电池用活性物质颗粒或锂离子电池用活性物质前体颗粒的多种原料溶液在0.3MPa以上且500MPa以下的加压下分别流入原料供给用流路，在该原料供给用流路的合流点处使前述多种原料溶液混合，通过前述化学反应连续地生成锂离子电池用活性物质颗粒、或生成锂离子电池用活性物质前体颗粒。

非水电解质二次电池用正极活性物质及其制造方法、以及非水电解质二次电池-201880033072.2
发明人：中山朋子;横山润;小向哲史 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01M4/525
摘要：本发明提供内部电阻小、热稳定性优异的由锂镍复合氧化物构成的非水电解质二次电池用正极活性物质。对通过烧成工序获得的锂镍复合氧化物粉末实施使用淋水的水洗处理，直至滤液的电导率为30～60mS/cm，并干燥，获得非水电解质二次电池用正极活性物质，其由组成式(1)：Li

正极活性物质的制造方法以及二次电池-201880029345.6
发明人：门马洋平;三上真弓;内田彩;町川一仁 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01M4/525
摘要：提供一种能够提高二次电池的循环特性的正极活性物质及其制造方法。通过利用喷雾干燥处理使用石墨烯化合物将固体电解质附着于锂化合物，将由加热处理使碳从石墨烯化合物挥发而成的正极活性物质作为正极使用，可以抑制在制造二次电池时接触于正极活性物质的电解液的分解且提高二次电池的循环特性。

正极活性物质粒子-201880025517.2
发明人：高桥正弘;落合辉明;门马洋平;鹤田彩惠 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2018-05-01 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01M4/525
摘要：提供一种劣化少的正极活性物质粒子。或者，提供一种劣化少的蓄电装置。或者，提供一种安全性高的蓄电装置。一种正极活性物质粒子包括第一晶粒、第二晶粒及位于第一晶粒与第二晶粒间的晶界，其中第一晶粒及第二晶粒包含锂、过渡金属及氧，晶界包含镁和氧，并且该正极活性物质具有晶界中的镁的原子浓度与第一晶粒及第二晶粒中的过渡金属的原子浓度比为0.010以上且0.50以下的区域。

正极活性物质、其制备方法及包含其的锂二次电池-201880024814.5
发明人：宣良国;金云赫 -专利权人：汉阳大学校产学协力团
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01M4/525
摘要：本发明提供正极活性物质。在上述正极活性物质中，镍为60摩尔百分比以上，包含锂及添加金属，具有第一结晶结构，上述第一结晶结构沿着c轴方向具有固有的晶格常数，在充放电过程中，生成第二结晶结构及第三结晶结构，上述第二结晶结构具有沿着c轴方向长于上述第一结晶结构的晶格常数，上述第三结晶结构具有沿着c轴方向短于上述第一结晶结构的晶格常数，通过上述添加金属，减少在充放电过程中生成的上述第二结晶结构及上述第三结晶结构的生成比率的变化量。

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