[发明专利]烧结磁体的制造方法及烧结磁体有效
| 申请号： | 201880028380.6 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN110582820B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 崔益赈;李正九;印埈昊;权纯在;鱼贤洙;催晋赫;金仁圭;申恩贞 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057;H01F1/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵丹;冷永华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
根据本发明的一个示例性实施方案，烧结磁体的制造方法包括：通过使用还原‑扩散法制备基于NdFeB的粉末；将基于NdFeB的粉末和稀土氢化物粉末混合；在600℃至850℃的温度下对混合物进行热处理；以及在1000℃至1100℃的温度下对经热处理的混合物进行烧结，其中稀土氢化物粉末为NdH |
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| 搜索关键词： | 烧结 磁体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种烧结磁体的制造方法，所述方法包括：/n通过使用还原-扩散法制备基于NdFeB的粉末；/n将所述基于NdFeB的粉末与稀土氢化物粉末混合；/n在600℃至850℃的温度下对混合物进行热处理；以及/n在1000℃至1100℃的温度下对经热处理的混合物进行烧结，/n其中所述稀土氢化物粉末为NdH
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