[发明专利]大单晶金刚石及其生产方法有效
申请号: | 201880028059.8 | 申请日: | 2018-04-27 |
公开(公告)号: | CN110914204B | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | D.S.米斯拉 | 申请(专利权)人: | 二A科技有限公司 |
主分类号: | C03B29/04 | 分类号: | C03B29/04;C30B25/20;B01J3/06;C01B32/25;C01B32/26 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 徐晶;黄登高 |
地址: | 新加坡新加坡市珠烈街6*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种生产大单晶金刚石的方法,包括:(i)在金刚石生长室中将两个或更多个单晶金刚石衬底彼此相邻布置,其中每个单晶金刚石衬底包括至少两个具有不同晶体取向的相邻表面,(ii)使用金刚石生长工艺,在向上生长方向以及在横向生长方向上生长单晶金刚石衬底。 | ||
搜索关键词: | 大单晶 金刚石 及其 生产 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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