[发明专利]使用了芴化合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物

摘要

提供兼具高蚀刻耐性、高耐热性和良好的涂布性的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜及其制造方法、抗蚀剂图案的形成方法、以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含下述式(1)[在式(1)中，AA表示单键或双键，X1表示‑N(R1)‑，X2表示‑N(R2)‑，X3表示‑CH(R3)‑，X4表示‑CH(R4)‑等，R1、R2、R3和R4表示氢原子、C1～20的直链状、支链状或环状的烷基等，R5、R6、R9和R10表示氢原子、羟基、烷基等，R7和R8表示苯环或萘环，n和o为0或1。]所示的化合物或由式(1)所示的化合物衍生的聚合物。将该组合物涂布在半导体基板上进行烧成而形成抗蚀剂下层膜，在其上任意选择地经由无机抗蚀剂下层膜而形成抗蚀剂膜，通过照射光或电子束、以及显影而形成抗蚀剂图案，通过抗蚀剂图案对下层膜进行蚀刻，通过被图案化了的下层膜对半导体基板进行加工而制造半导体装置。

主权项

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述式(1)所示的化合物，/n /n在式(1)中，/n 表示单键或双键，/nX¹表示-N(R¹)-或-CH(R¹)-，/nX²表示-N(R²)-或-CH(R²)-，/nX³表示-N＝、-CH＝、-N(R³)-或-CH(R³)-，/nX⁴表示-N＝、-CH＝、-N(R⁴)-或-CH(R⁴)-，/nR¹、R²、R³和R⁴相同或不同，分别表示氢原子、C1～20的直链状、支链状或环状的烷基、C6～20的芳基、C2～10的烯基、C2～10的炔基、羧基或氰基，所述烷基和芳基可以被C1～6的酰基、C1～6的烷氧基、C1～6的烷氧基羰基、氨基、缩水甘油基或羟基取代，并且可以被氧原子或硫原子中断，/nR⁵、R⁶、R⁹和R¹⁰相同或不同，分别表示氢原子、羟基、C1～6的酰基、C1～6的烷氧基、C1～6的烷氧基羰基、C1～10的直链状、支链状或环状的烷基、C6～20的芳基、C2～20的烯基或C2～10的炔基，所述酰基、烷氧基、烷氧基羰基、烷基、芳基、烯基和炔基可以具有1个或多个选自氨基、硝基、氰基、羟基、缩水甘油基和羧基中的基团，/nR⁷和R⁸相同或不同，分别表示苯环或萘环，/nn和o为0或1。/n