[发明专利]使用了芴化合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物

权利要求书

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述式(1)所示的化合物，

在式(1)中，

表示单键或双键，

X¹表示-N(R¹)-或-CH(R¹)-，

X²表示-N(R²)-或-CH(R²)-，

X³表示-N＝、-CH＝、-N(R³)-或-CH(R³)-，

X⁴表示-N＝、-CH＝、-N(R⁴)-或-CH(R⁴)-，

X¹、X²、X³、X⁴的至少一个包含氮原子，

R¹、R²、R³和R⁴相同或不同，分别表示氢原子、羟基、C1～20的直链状、支链状或环状的烷基、C6～20的芳基、C2～10的烯基或C2～10的炔基，所述烷基和芳基可以被C1～6的酰基、C1～6的烷氧基、氨基或羟基取代，并且可以被氧原子或硫原子中断，

R⁵、R⁶、R⁹和R¹⁰相同或不同，分别表示氢原子、羟基、C1～6的酰基、C1～6的烷氧基、C1～6的烷氧基羰基、C1～10的直链状、支链状或环状的烷基、C6～20的芳基、C2～20的烯基或C2～10的炔基，所述酰基、烷氧基、烷氧基羰基、烷基、芳基、烯基和炔基可以具有1个或多个选自氨基、硝基、氰基、羟基、缩水甘油基和羧基中的基团，

R⁷和R⁸相同或不同，分别表示苯环或萘环，

n和o为0或1。

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，式(1)的R¹、R²、R³或R⁴为羟基、或可以被羟基取代并且可以被氧原子或硫原子中断的C1～20的直链状、支链状或环状的烷基。