[发明专利]发光装置有效

专利信息
申请号: 201880026748.5 申请日: 2018-06-13
公开(公告)号: CN110546564B 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 泷口优;广瀬和义;黑坂刚孝;杉山贵浩;野本佳朗;上野山聪 申请(专利权)人: 浜松光子学株式会社
主分类号: G02F1/29 分类号: G02F1/29;G02F1/015;H01S5/18
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本实施方式涉及能够降低半导体发光元件对从空间光调制元件输出的调制后的光产生的衰减或衍射作用的发光装置,该发光装置包括从光输出面输出光的半导体发光元件,和对该光进行调制的反射型的空间光调制元件。空间光调制元件包括面积比半导体发光元件的光输入面大的光入射出射面,对经由光输入输出面中的与半导体发光元件的光输出面相对的区域取入的光进行调制,将调制后的光从该光输入输出面中的其他的区域输出到半导体发光元件的光输入面以外的空间。
搜索关键词: 发光 装置
【主权项】:
1.一种发光装置,其特征在于:/n包括半导体发光元件和反射型的空间光调制元件,/n所述半导体发光元件具有光输出面,在相对于所述光输出面的法线方向倾斜的方向上输出光,/n所述反射型的空间光调制元件具有以至少一部分与所述光输出面相对的方式配置的光输入输出面,对经由所述光输入输出面输入的来自所述半导体发光元件的所述光的相位和强度中的至少一者进行调制,并从所述光输入输出面输出调制后的所述光,/n所述半导体发光元件包括:/n具有主面和与所述主面相对的背面的半导体衬底;/n半导体层叠部,其包括活性层和相位调制层,并且包括以隔着所述活性层和所述相位调制层的方式配置的顶面和底面,所述半导体层叠部以所述底面与所述主面相对的方式配置在所述半导体衬底的所述主面上;/n设置在所述半导体层叠部的所述顶面上的第一电极;和/n设置在所述半导体衬底的所述背面上的第二电极,/n所述光输出面包含在所述半导体层叠部的所述顶面或所述半导体衬底的所述背面中,/n所述相位调制层包括具有规定折射率的基层,和具有与所述基层的折射率不同的折射率的多个异折射率区域,/n所述半导体发光元件的所述光输出面的面积小于所述空间光调制元件的所述光输入输出面的面积。/n
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