[发明专利]无热化多路径干涉滤波器在审

专利信息
申请号: 201880025943.6 申请日: 2018-07-16
公开(公告)号: CN110582710A 公开(公告)日: 2019-12-17
发明(设计)人: A.特里塔 申请(专利权)人: 洛克利光子有限公司
主分类号: G02B6/12 分类号: G02B6/12;G02B6/293
代理公司: 72001 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 李湘;陈岚
地址: 英国*** 国省代码: 英国;GB
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摘要: 一种多路径干涉滤波器。多路径干涉滤波器包括第一端口波导、第二端口波导以及连接第一端口波导和第二端口波导的光学结构。光学结构具有从第一端口波导到第二端口波导的第一光学路径,以及从第一端口波导到第二端口波导的不同于第一光学路径的第二光学路径。第一光学路径具有在氢化非晶硅内具有第一长度的部分。第二光学路径具有在结晶硅内具有第二长度的部分,并且第二光学路径或者不具有在氢化非晶硅内的部分,或者具有在氢化非晶硅内具有第三长度的部分,第三长度小于第一长度。
搜索关键词: 波导 光学路径 氢化非晶硅 干涉滤波器 光学结构 多路径 结晶硅
【主权项】:
1.一种阵列波导光栅,包括:/n第一星形耦合器;/n第二星形耦合器;/n波导阵列,其连接所述第一星形耦合器和所述第二星形耦合器;/n一个或多个第一端口波导,其连接到所述第一星形耦合器;以及/n一个或多个第二端口波导,其连接到所述第二星形耦合器,/n其中:/n从所述第一端口波导的第一波导通过所述波导阵列的第一波导到所述第二端口波导的第一波导的第一光学路径包括在氢化非晶硅内具有第一长度的部分,/n所述第一光学路径的剩余部分在晶体硅之内,/n从所述第一端口波导的所述第一波导通过所述波导阵列的第二波导到所述第二端口波导的所述第一波导的第二光学路径包括在氢化非晶硅内具有第二长度的部分,/n所述第二光学路径的剩余部分在晶体硅之内,并且/n所述第二长度不同于所述第一长度。/n
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