[发明专利]无热化多路径干涉滤波器在审
申请号: | 201880025943.6 | 申请日: | 2018-07-16 |
公开(公告)号: | CN110582710A | 公开(公告)日: | 2019-12-17 |
发明(设计)人: | A.特里塔 | 申请(专利权)人: | 洛克利光子有限公司 |
主分类号: | G02B6/12 | 分类号: | G02B6/12;G02B6/293 |
代理公司: | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 李湘;陈岚 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 波导 光学路径 氢化非晶硅 干涉滤波器 光学结构 多路径 结晶硅 | ||
1.一种阵列波导光栅,包括:
第一星形耦合器;
第二星形耦合器;
波导阵列,其连接所述第一星形耦合器和所述第二星形耦合器;
一个或多个第一端口波导,其连接到所述第一星形耦合器;以及
一个或多个第二端口波导,其连接到所述第二星形耦合器,
其中:
从所述第一端口波导的第一波导通过所述波导阵列的第一波导到所述第二端口波导的第一波导的第一光学路径包括在氢化非晶硅内具有第一长度的部分,
所述第一光学路径的剩余部分在晶体硅之内,
从所述第一端口波导的所述第一波导通过所述波导阵列的第二波导到所述第二端口波导的所述第一波导的第二光学路径包括在氢化非晶硅内具有第二长度的部分,
所述第二光学路径的剩余部分在晶体硅之内,并且
所述第二长度不同于所述第一长度。
2.根据权利要求1所述的阵列波导光栅,其中所述阵列波导光栅的通道的中心波长随温度的改变速率小于70pm/℃。
3.根据权利要求1所述的阵列波导光栅,其中:
所述波导阵列的所述第一波导包括具有等于所述第一长度的长度的第一部分,所述第一部分由氢化非晶硅构成,
所述波导阵列的所述第一波导的所述剩余部分由晶体硅构成,
所述波导阵列的所述第二波导包括具有等于所述第二长度的长度的部分,所述部分由氢化非晶硅构成,以及
所述波导阵列的所述第二波导的所述剩余部分由晶体硅构成。
4.根据权利要求3所述的阵列波导光栅,其中所述第一波导的所述第一部分与所述第一波导的所述剩余部分的一部分之间的界面是具有表面法线的基本上平坦的表面,所述表面法线与所述第一部分的纵向方向之间的角度大于0.1度。
5.根据权利要求4所述的阵列波导光栅,其中所述表面法线与所述第一部分的所述纵向方向之间的所述角度小于30度。
6.根据权利要求1所述的阵列波导光栅,其中所述第一星形耦合器包括自由传播区,所述自由传播区包括由氢化非晶硅构成的区域,所述第一星形耦合器的所述自由传播区的所述剩余部分由晶体硅构成,所述区域包括楔形部分。
7.一种多路径干涉滤波器,包括:
第一端口波导;
第二端口波导;以及
光学结构,其连接所述第一端口波导和所述第二端口波导,
所述光学结构具有:
从所述第一端口波导到所述第二端口波导的第一光学路径,以及
从所述第一端口波导到所述第二端口波导的不同于所述第一光学路径的第二光学路径,
所述第一光学路径具有在氢化非晶硅内具有第一长度的部分,
所述第二光学路径具有在晶体硅内具有第二长度的部分,并且所述第二光学路径或者
不具有在氢化非晶硅内的部分,或者
具有在氢化非晶硅内具有第三长度的部分,所述第三长度小于所述第一长度。
8.根据权利要求7所述的多路径干涉滤波器,其中所述第一光学路径与所述第二光学路径之间的光学路径延迟差具有小于2e-5弧度/℃的随温度的改变速率。
9.根据权利要求7所述的多路径干涉滤波器,其中所述光学结构包括马赫-曾德尔干涉仪,所述马赫-曾德尔干涉仪具有:
第一耦合器,
第二耦合器,
第一波导,其连接所述第一耦合器和所述第二耦合器,以及
第二波导,其连接所述第一耦合器和所述第二耦合器,
其中:
所述第一光学路径的一部分在所述第一波导内,并且
所述第二光学路径的一部分在所述第二波导内。
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