[发明专利]加工对象物切断方法在审

申请号：	201880025397.6	申请日：	2018-04-12
公开（公告）号：	CN110520970A	公开（公告）日：	2019-11-29
发明（设计）人：	坂本刚志;荻原孝文;田口智也	申请（专利权）人：	浜松光子学株式会社
主分类号：	H01L21/301	分类号：	H01L21/301;B23K26/53
代理公司：	11322 北京尚诚知识产权代理有限公司	代理人：	杨琦;程采<国际申请>=PCT/JP20
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	加工对象物切断方法包括：第一步骤，准备具有单晶硅基板和设置于第一主面侧的功能元件层的加工对象物；第二步骤，通过对加工对象物照射激光，分别沿多条切断预定线在单晶硅基板的内部形成至少1列改质区域，并分别沿多条切断预定线在加工对象物以跨至少1列改质区域与加工对象物的第二主面之间的方式形成龟裂；和第三步骤，通过对加工对象物从第二主面侧实施干式蚀刻，分别沿多条切断预定线在加工对象物形成开口于第二主面的沟槽。在第三步骤中，在第二主面形成有沿多条切断预定线形成了气体通过区域的蚀刻保护层的状态下，使用二氟化氙气体，从第二主面侧实施干式蚀刻。
搜索关键词：	加工对象物主面切断预定线单晶硅基板改质区域干式蚀刻加工对象物切断蚀刻保护层二氟化氙功能元件气体通过龟裂照射激光开口
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

1.一种加工对象物切断方法，其特征在于，包括：/n第一步骤，准备具有单晶硅基板和设置于第一主面侧的功能元件层的加工对象物；/n第二步骤，在所述第一步骤之后，通过对所述加工对象物照射激光，分别沿多条切断预定线在所述单晶硅基板的内部形成至少1列改质区域，并分别沿所述多条切断预定线在所述加工对象物以跨所述至少1列改质区域与所述加工对象物的第二主面之间的方式形成龟裂；和/n第三步骤，在所述第二步骤之后，通过对所述加工对象物从所述第二主面侧实施干式蚀刻，分别沿所述多条切断预定线在所述加工对象物形成开口于所述第二主面的沟槽，/n在所述第三步骤中，在所述第二主面形成有分别沿所述多条切断预定线形成了气体通过区域的蚀刻保护层的状态下，使用二氟化氙气体，从所述第二主面侧实施所述干式蚀刻。/n

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浜松光子学株式会社，未经浜松光子学株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880025397.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]加工对象物切断方法在审

专利文献下载