[发明专利]加工对象物切断方法在审
| 申请号： | 201880025360.3 | 申请日： | 2018-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110520967A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 坂本刚志;田口智也 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;B23K26/53 |
| 代理公司： | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨琦;王磊<国际申请>=PCT/JP20 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 加工对象物切断方法包括：第一步骤，准备具有单晶硅基板和设置于第一主面侧的功能元件层的加工对象物，在加工对象物的第二主面形成蚀刻保护层；第二步骤，通过对加工对象物照射激光，分别沿多条切断预定线在单晶硅基板的内部形成至少1改质区域，并分别沿多条切断预定线在加工对象物以跨至少1列蚀刻保护层与蚀刻保护层的表面之间的方式形成龟裂；和第三步骤，通过在蚀刻保护层形成于第二主面的状态下，从第二主面侧对加工对象物实施干式蚀刻，分别沿切断预定线在加工对象物形成开口于第二主面的沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 加工对象物 蚀刻保护层 切断预定线 主面 单晶硅基板 加工对象物切断 改质区域 干式蚀刻 功能元件 龟裂 照射 激光 开口 | ||
【主权项】：
1.一种加工对象物切断方法，其特征在于，包括：/n第一步骤，准备具有单晶硅基板和设置于第一主面侧的功能元件层的加工对象物，在所述加工对象物的第二主面形成蚀刻保护层；/n第二步骤，在所述第一步骤之后，通过对所述加工对象物照射激光，分别沿多条切断预定线在所述单晶硅基板的内部形成至少1列改质区域，并分别沿所述多条切断预定线在所述加工对象物以跨所述至少1列改质区域与所述蚀刻保护层的表面之间的方式形成龟裂；和/n第三步骤，在所述第二步骤之后，在所述蚀刻保护层形成于所述第二主面的状态下，从所述第二主面侧对所述加工对象物实施干式蚀刻，由此分别沿所述多条切断预定线在所述加工对象物形成开口于所述第二主面的沟槽。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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