[发明专利]分析光刻掩模的缺陷位置的方法与设备有效
| 申请号： | 201880017005.1 | 申请日： | 2018-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN110622067B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | M.布达科;R.肖恩伯格 | 申请（专利权）人： | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F1/84 | 分类号： | G03F1/84;G06T7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种分析光刻掩模(200、700)的至少一个缺陷位置(230、730)的方法，该方法具有下列步骤：(a)获得该光刻掩模(200、700)的至少一个缺陷位置(230、730)的测量数据；(b)从该光刻掩模(200、700)的计算机辅助设计(CAD)数据(300)决定该缺陷位置(230、730)的参考数据；(c)使用至少一个位置相关修正值来修正该参考数据；以及(d)通过比较该测量数据与该已修正参考数据来分析该缺陷位置(230、730)。 | ||
| 搜索关键词： | 分析 光刻 缺陷 位置 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种用于分析光刻掩模(200、700)的至少一个缺陷位置(230、730)的方法，其中该方法包括下列步骤：/na获得该光刻掩模(200、700)的至少一个缺陷位置(230、730)的测量数据；/nb从该光刻掩模(200、700)的计算机辅助设计(CAD)数据(300)来决定该缺陷位置(230、730)的参考数据；/nc使用至少一个位置相关修正值来修正该参考数据；以及/nd通过比较该测量数据与该已修正参考数据来分析该缺陷位置(230、730)。/n
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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