[发明专利]具有硅纳米结构的片上超级电容器有效
| 申请号： | 201880016550.9 | 申请日： | 2018-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN110462773B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 陈旭源;吕派;佩尔·阿尔弗雷德·厄尔克斯 | 申请（专利权）人： | 挪威东南大学 |
| 主分类号： | H01G11/26 | 分类号： | H01G11/26;H01G11/46;H01G11/02;H01G11/70;H01G11/86;H01G11/68;H01G11/28 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 杨明钊;张瑞 |
| 地址： | 挪威康*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
一种片上超级电容器，具有包括一维的硅(Si)纳米结构(3)的电极，所述一维的硅(Si)纳米结构(3)涂覆有氮化钛(TiN)的第一层(10)。所述片上超级电容器还包括沉积在第一层上的二氧化锰(MnO |
||
| 搜索关键词： | 具有 纳米 结构 超级 电容器 | ||
【主权项】：
1.一种片上超级电容器，具有包括一维的硅(Si)纳米结构(3)的电极，所述一维的硅(Si)纳米结构(3)涂覆有氮化钛(TiN)的第一层(10)，其特征在于，所述片上超级电容器还包括沉积在所述第一层上的二氧化锰(MnO2)的第二层(20)。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于挪威东南大学，未经挪威东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880016550.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
