[发明专利]热处理装置、热处理方法和半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 201880007204.4 申请日: 2018-01-18
公开(公告)号: CN110214364A 公开(公告)日: 2019-09-06
发明(设计)人: 物种武士;川濑佑介;南竹春彦;巽裕章;金田和德 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L21/268 分类号: H01L21/268;C21D1/34;G01K11/12
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 于丽
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 热处理装置(21)具备:振荡出激光(L)的激光振荡部(1)、保持被激光(L)照射的照射对象物(31)的工件台、将从激光振荡部(1)振荡出的激光(L)引导至照射对象物(31)的光学系统(2)、以及使光学系统(2)与照射对象物(31)的位置关系相对地变化的移动部。另外,热处理装置(21)具备:检测部(9),检测激光(L)在照射对象物(31)的表面被反射后的第一反射光(R1)的功率;以及判定部(10),基于由检测部(9)检测出的第一反射光(R1)的功率的检测值,判定在照射对象物(31)中被激光(L)照射的区域的表面温度有无变化。
搜索关键词: 照射 对象物 热处理装置 激光 激光振荡部 检测 光学系统 反射光 振荡 半导体装置 热处理 检测激光 工件台 判定部 移动部 反射 判定 制造
【主权项】:
1.一种热处理装置,其特征在于,具备:激光振荡部,振荡出激光;工件台,保持被所述激光照射的照射对象物;光学系统,将从所述激光振荡部振荡出的所述激光引导至所述照射对象物;移动部,使所述光学系统与所述照射对象物的位置关系相对地变化;检测部,检测所述激光在所述照射对象物的表面被反射后的第一反射光的功率;以及判定部,基于由所述检测部检测出的所述第一反射光的功率的检测值,判定在所述照射对象物中被所述激光照射的区域的表面温度有无变化。
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