[发明专利]包含酰胺溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物在审
| 申请号： | 201880006868.9 | 申请日： | 2018-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN110192152A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 德永光;滨田聪志;桥本圭祐;坂本力丸 | 申请（专利权）人： | 日产化学株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;C08G12/34;G03F7/20;G03F7/26;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;孙丽梅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
本发明提供兼具高蚀刻耐性、高耐热性和良好的涂布性的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜及其制造方法、抗蚀剂图案的形成方法、以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物、和作为溶剂的式(1)(式(1)中的R1、R2和R3各自表示氢原子、可以被氧原子、硫原子或酰胺键中断的碳原子数1～20的烷基，R1、R2和R3彼此可以相同也可以不同，可以彼此结合而形成环结构。)所示的化合物。将该组合物在可以具有高低差的半导体基板上进行涂布、烧成而形成抗蚀剂下层膜，在该抗蚀剂下层膜上任意选择地经由无机抗蚀剂下层膜而形成抗蚀剂膜，通过光或电子射线的照射与显影来形成抗蚀剂图案，按照抗蚀剂图案对下层膜等进行蚀刻，按照被图案化了的下层膜对半导体基板进行加工来制造半导体装置。 |
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| 搜索关键词： | 抗蚀剂下层膜 式( 1 ) 形成用组合物 抗蚀剂图案 下层膜 蚀刻 半导体基板 半导体装置 制造 烷基 无机抗蚀剂 电子射线 高耐热性 抗蚀剂膜 碳原子数 酰胺溶剂 高低差 环结构 聚合物 硫原子 氢原子 图案化 涂布性 氧原子 酰胺键 溶剂 烧成 显影 照射 中断 加工 | ||
【主权项】：
1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物、和作为溶剂的式(1)所示的化合物，![]()
式(1)中的R1、R2和R3各自表示氢原子、可以被氧原子、硫原子或酰胺键中断的碳原子数1～20的烷基，R1、R2和R3彼此可以相同也可以不同，可以彼此结合而形成环结构。
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