[发明专利]像素结构、显示设备、以及制造像素结构的方法有效
| 申请号： | 201880002100.4 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN111466039B | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 皇甫鲁江;樊星;刘政;樊燕;李良坚;高昊 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;姜春咸 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种像素结构，包括：基底基板和位于基底基板上的发光元件。发光元件包括：反射电极；发光层，其位于反射电极上；以及实质透明电极，其位于发光层的远离反射电极的一侧。反射电极具有反射脊部，其构造为反射横向地透过发光层的光以使其从像素结构的发光表面出射。反射脊部具有第一凹反射侧壁和第二凹反射侧壁，第一凹反射侧壁从反射脊部的峰顶延伸至反射脊部的基底，第二凹反射侧壁从反射脊部的峰顶延伸至反射脊部的基底。第一凹反射侧壁背对第二凹反射侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 结构 显示 设备 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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H01L51-54 .. 材料选择
