[发明专利]使用NMOS晶体管的LDO稳压器

摘要

一种低压差(LDO)稳压器，包括NMOS晶体管、电阻梯、误差放大器和栅极升压电路。NMOS晶体管被配置用于接收输入电压以产生输出电压。耦合到NMOS晶体管的电阻梯被配置用于根据输出电压的电平产生反馈信号。耦合到电阻梯的误差放大器被配置用于从电阻梯接收反馈信号以产生控制信号。耦合在NMOS晶体管与误差放大器之间的栅极升压电路被配置用于提升控制信号以控制NMOS晶体管，从而将输出电压拉至目标电平。

主权项

1.一种低压差(LDO)稳压器，包括：NMOS晶体管，所述NMOS晶体管用于接收输入电压以产生输出电压；电阻梯，所述电阻梯耦合到所述NMOS晶体管，用于根据所述输出电压的电平产生反馈信号；误差放大器，所述误差放大器耦合到所述电阻梯，用于从所述电阻梯接收所述反馈信号以产生控制信号；以及栅极升压电路，所述栅极升压电路耦合在所述NMOS晶体管与所述误差放大器之间，用于提升所述控制信号以控制所述NMOS晶体管，从而将所述输出电压拉至目标电平，其中，所述栅极升压电路包括：泵浦电路，所述泵浦电路用于通过调节信号提升所述控制信号以控制所述NMOS晶体管；以及隔离电路，所述隔离电路耦合到所述泵浦电路，用于隔离来自所述误差放大器的输出端的寄生电容，其中，所述泵浦电路包括：第一单位增益缓冲器；第一电容器单元；第一开关，所述第一开关耦合在所述第一单位增益缓冲器与所述第一电容器单元的第一端之间；第二开关，所述第二开关耦合在所述第一电容器单元的第二端与接地端之间；以及第三开关，所述第三开关耦合在所述隔离电路中的第二单位增益缓冲器与所述第一电容器单元的所述第二端之间，其中，在所述第三开关闭合时所述第一电容器单元的所述第二端从所述第二单位增益缓冲器接收所述控制信号的电压。