[发明专利]使用NMOS晶体管的LDO稳压器

权利要求书

1.一种低压差(LDO)稳压器，包括：

NMOS晶体管，所述NMOS晶体管用于接收输入电压以产生输出电压；

电阻梯，所述电阻梯耦合到所述NMOS晶体管，用于根据所述输出电压的电平产生反馈信号；

误差放大器，所述误差放大器耦合到所述电阻梯，用于从所述电阻梯接收所述反馈信号以产生控制信号；以及

栅极升压电路，所述栅极升压电路耦合在所述NMOS晶体管与所述误差放大器之间，用于提升所述控制信号以控制所述NMOS晶体管，从而将所述输出电压拉至目标电平，

其中，所述栅极升压电路包括：

泵浦电路，所述泵浦电路用于通过调节信号提升所述控制信号以控制所述NMOS晶体管；以及

隔离电路，所述隔离电路耦合到所述泵浦电路，用于隔离来自所述误差放大器的输出端的寄生电容，

其中，所述泵浦电路包括：

第一单位增益缓冲器；

第一电容器单元；

第一开关，所述第一开关耦合在所述第一单位增益缓冲器与所述第一电容器单元的第一端之间；

第二开关，所述第二开关耦合在所述第一电容器单元的第二端与接地端之间；以及

第三开关，所述第三开关耦合在所述隔离电路中的第二单位增益缓冲器与所述第一电容器单元的所述第二端之间，其中，在所述第三开关闭合时所述第一电容器单元的所述第二端从所述第二单位增益缓冲器接收所述控制信号的电压。

2.根据权利要求1所述的LDO稳压器，其中，所述NMOS晶体管是零伏阈值电压晶体管。

3.根据权利要求1所述的LDO稳压器，其中，所述NMOS晶体管包括：

第一端，所述第一端用于从电压源接收所述输入电压；

第二端，所述第二端用于输出所述输出电压；以及

控制端，所述控制端用于从所述栅极升压电路接收所提升的控制信号。

4.根据权利要求3所述的LDO稳压器，其中，所述隔离电路包括：

所述第二单位增益缓冲器；

第二电容器单元；

第四开关，所述第四开关耦合在所述第一电容器单元的所述第一端与所述第二电容器单元的第一端之间；以及

第五开关，所述第五开关耦合在所述第一电容器单元的所述第二端与所述第二电容器单元的第二端之间。

5.根据权利要求3所述的LDO稳压器，其中，所述第一单位增益缓冲器被配置为产生所述调节信号，并且所有开关被配置为利用所述调节信号来提升所述控制信号以控制所述NMOS晶体管。

6.根据权利要求1所述的LDO稳压器，还包括：

去耦电容器，所述去耦电容器耦合到所述NMOS晶体管的控制端。

7.根据权利要求1所述的LDO稳压器，还包括：

预充电电路，所述预充电电路耦合到所述NMOS晶体管的控制端。

8.根据权利要求7所述的LDO稳压器，其中，所述预充电电路包括：

控制路径，所述控制路径用于在所述控制路径导通时接收参考电压；以及

充电晶体管，所述充电晶体管耦合到控制电路，用于将所述NMOS晶体管的所述控制端预充电到基本上等于所述参考电压的电压电平。