[实用新型]大尺寸碳化硅晶体生长装置有效
| 申请号： | 201822198340.6 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN209522952U | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 戚祖强;肖锦先;李海军;卢万佳;黄金平;刘勇;汪志超 | 申请（专利权）人： | 戚祖强 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 深圳市明日今典知识产权代理事务所(普通合伙) 44343 | 代理人： | 王杰辉;梁悄 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种大尺寸碳化硅晶体生长装置，包括真空腔室、感应线圈和坩埚；真空腔室位于感应线圈内的中央位置；坩埚位于真空腔室中心位置；坩埚包括坩埚体和坩埚上盖，坩埚上盖盖合于坩埚体顶部；坩埚上盖下方设置有上盖籽晶托；感应线圈用于加热坩埚，感应线圈在碳化硅晶体生长过程中根据碳化硅粉料量的变化控制坩埚纵向上的温度梯度。通过可根据碳化硅粉料量的变化控制坩埚纵向上的温度梯度的感应线圈的设置，实现碳化硅粉料和籽晶之间温度梯度的控制，有助于降低碳化硅晶体的内应力、减少碳化硅晶体的缺陷、提高碳化硅晶体质量及生产效率，实现大尺寸、高有效厚度的碳化硅晶体的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅晶体 坩埚 感应线圈 上盖 碳化硅粉料 温度梯度 真空腔室 变化控制 生长装置 坩埚体 本实用新型 加热坩埚 生产效率 生长过程 有效厚度 籽晶托 盖合 籽晶 生长 | ||
【主权项】：
1.一种大尺寸碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括真空腔室、感应线圈和坩埚；所述真空腔室位于感应线圈内的中央位置；所述坩埚位于真空腔室中心位置；所述坩埚包括坩埚体和坩埚上盖，所述坩埚上盖盖合于所述坩埚体顶部；所述坩埚上盖下方设置有上盖籽晶托，所述上盖籽晶托位于所述坩埚体和所述坩埚上盖盖合的范围内，所述上盖籽晶托位于所述坩埚体的顶部；所述感应线圈用于加热所述坩埚，所述感应线圈在所述碳化硅晶体生长过程中根据所述碳化硅粉料量的变化控制所述坩埚纵向上的温度梯度。
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