[实用新型]薄膜晶体管结构及像素结构有效
| 申请号： | 201821990105.6 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN209249464U | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 尤彦文;许翼材;王文哲;张原豪;王文铨;张少伦 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 席勇;董云海 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种薄膜晶体管结构及像素结构。薄膜晶体管结构包含栅极、第一金属垫、第二金属垫、栅极绝缘层、半导体通道层、第一半导体垫、第二半导体垫、源极、漏极、第三金属垫以及第四金属垫。第一金属垫和第二金属垫分别位于栅极的相对两侧。栅极绝缘层覆盖栅极、第一金属垫和第二金属垫。半导体通道层设置于栅极和栅极绝缘层上方。第一半导体垫和第二半导体垫分别位于半导体通道层的相对两侧且分别位于第一金属垫和第二金属垫上。源极和漏极设置于半导体通道层上。第三金属垫和第四金属垫分别设置于第一半导体垫和第二半导体垫上。借此，本实用新型的薄膜晶体管结构，可以避免后续工艺因组立偏移造成间隙物滑落进而影响显示品质。 | ||
| 搜索关键词： | 金属垫 半导体垫 薄膜晶体管结构 半导体通道层 栅极绝缘层 本实用新型 相对两侧 像素结构 漏极 源极 影响显示品质 后续工艺 偏移 间隙物 滑落 组立 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管结构，其特征在于，包含：栅极；第一金属垫和第二金属垫，分别位于所述栅极的相对两侧；栅极绝缘层，覆盖所述栅极、所述第一金属垫和所述第二金属垫；半导体通道层，设置于所述栅极和所述栅极绝缘层上方；第一半导体垫和第二半导体垫，分别位于所述半导体通道层的相对两侧且分别位于所述第一金属垫和所述第二金属垫上；源极和漏极，设置于所述半导体通道层上；以及第三金属垫和第四金属垫，分别设置于所述第一半导体垫和所述第二半导体垫上。
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