[实用新型]一种减少氚排放的次级中子源棒有效
| 申请号： | 201821986566.6 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN209374067U | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 党宇;卢俊强;付亚茹;郑轶雄;毛兰方;崔严光;徐时吟;孙靖雅 | 申请（专利权）人： | 上海核工程研究设计院有限公司 |
| 主分类号： | G21C19/02 | 分类号： | G21C19/02;G21C19/22;G21G4/02 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 冯子玲 |
| 地址： | 200233*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种减少氚排放的次级中子源棒，其特征在于，在所述次级中子源棒的包壳管上涂覆阻氚涂层,或在所述包壳管内放置镀镍吸氚材料或所述内包壳材料为锆合金，上述三种方式也可组合使用。本实用新型提供的次级中子源棒可将自身产生的氚留存在棒内，有效降低氚排放量，减少冷却剂中的氚含量，减轻环境污染。 | ||
| 搜索关键词： | 中子源棒 本实用新型 包壳管 冷却剂 阻氚涂层 可组合 内包壳 排放量 锆合金 排放 镀镍 涂覆 | ||
【主权项】：
1.一种减少氚排放的次级中子源棒，其特征在于，在所述次级中子源棒的包壳管上涂覆阻氚涂层或在所述次级中子源棒的包壳管内放置镀镍吸氚材料或在所述次级中子源棒内使用锆合金内层包壳管。
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