[实用新型]防电源反接电路有效

专利信息
申请号: 201821979782.8 申请日: 2018-11-29
公开(公告)号: CN209119810U 公开(公告)日: 2019-07-16
发明(设计)人: 段永进 申请(专利权)人: 深圳市欧圳科技有限公司
主分类号: H02H11/00 分类号: H02H11/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市宝安区西乡*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型提供一种防电源反接电路,包括PMOS管Q1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、电容C2和齐纳二极管D1;所述PMOS管Q1的D极连接输入端VIN、所述电阻R3的一端;所述电阻R3的另一端连接所述电容C2的一端;所述PMOS管Q1的S极分别连接所述齐纳二极管D1的负极、所述电阻R1的一端、所述电容C1的一端、所述电容C2的另一端、输出端VOUT;所述PMOS管Q1的G极分别连接所述齐纳二极管D1的正极、所述电阻R1的另一端、所述电阻R2的一端、所述电容C1的另一端;所述电阻R2的另一端接地。本实用新型提出的防电源反接电路,对直流电源正极和负极反向接入进行保护,避免后级元件被反接电压损坏,提高电路使用的安全性;同时具有结构简单、成本低廉且适用范围广等优点。
搜索关键词: 电阻 电容 齐纳二极管 电源反接 本实用新型 电路 负极 直流电源正极 正极 电路使用 电压损坏 反向接入 一端连接 接地 输出端 输入端 反接
【主权项】:
1.一种防电源反接电路,其特征在于,包括PMOS管Q1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、电容C2和齐纳二极管D1;所述PMOS管Q1的D极连接输入端VIN、所述电阻R3的一端;所述电阻R3的另一端连接所述电容C2的一端;所述PMOS管Q1的S极分别连接所述齐纳二极管D1的负极、所述电阻R1的一端、所述电容C1的一端、所述电容C2的另一端以及输出端VOUT;所述PMOS管Q1的G极分别连接所述齐纳二极管D1的正极、所述电阻R1的另一端、所述电阻R2的一端、所述电容C1的另一端;所述电阻R2的另一端接地。
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