[实用新型]一种高精度指数型温度补偿CMOS带隙基准电路

摘要

本实用新型公开了一种高精度指数型温度补偿CMOS带隙基准电路，包括三个PMOS管、三个PNP型三极管、五个电阻和一个四输入运算放大器。本实用新型提供的电路所产生的基准电压在传统的一阶温度补偿的基础上添加了与三极管电流放大系数β相关的指数型温度补偿项，不同于一阶温度补偿及二阶曲率补偿，从而得到了更高精度的基准电压。

主权项

1.一种高精度指数型温度补偿CMOS带隙基准电路，其特征在于，包括三个PMOS管、三个PNP型三极管、五个电阻和一个四输入运算放大器；其中，PMOS管M1、PMOS管M2和PMOS管M3的漏极均与电源连接，其栅极均与四输入运算放大器U1的输出端连接，PMOS管M1的源极通过电阻R2与四输入运算放大器U1的第一反相输入端INN1和第二反相输入端INN2连接，PMOS管M2的源极通过电阻R5与四输入运算放大器U1的第一同相输入端INP1连接，PMOS管M3的源极与四输入运算放大器U1的第二同相输入端INP2连接；三极管Q1的发射极与四输入运算放大器U1的第一反相输入端INN1和第二反相输入端INN2连接，其基极和集电极接地；三极管Q2的发射极通过电阻R1与四输入运算放大器U1的第一同相输入端INP1连接，其基极和集电极接地；三极管Q3的发射极与四输入运算放大器U1的第二同相输入端INP2连接，三极管Q3的发射极还通过电阻R3与其基极连接，其基极通过电阻R4与其集电极连接，且其集电极接地。