[实用新型]基于Au修饰MoS2有效

专利信息
申请号: 201821864048.7 申请日: 2018-11-13
公开(公告)号: CN210325858U 公开(公告)日: 2020-04-14
发明(设计)人: 谭秋红;任文萍;王前进;刘应开 申请(专利权)人: 云南师范大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;B82Y10/00;B82Y30/00
代理公司: 云南凌云律师事务所 53207 代理人: 董建国
地址: 650500 云南省昆*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 实用新型属于光电探测器领域,具体设计基于Au修饰MoS2电极的钙钛矿/石墨烯杂化光电探测器,至下而上包括包括栅电极,栅极绝缘层,垂直石墨烯纳米墙/钙钛矿结构,Au修饰MoS2源电极和Au修饰MoS2漏电极。本实用新型中钙钛矿/垂直石墨烯纳米墙杂化结果能够很好的将光子诱导的空穴从钙钛矿转移到石墨烯,使激发的电子在导带上不衰减,无法回到价带与空穴进行复合,从而增强了光激发载流子的寿命,进一步增加了光响应。MoS2不仅能够作为电极而且还能与垂直石墨烯纳米墙/钙钛矿结构形成异质结,也能够更好的利用MoS2高的光吸收系数以及载流子迁移率的特点。而Au修饰的MoS2更加提高MoS2在这两方面的能力。
搜索关键词: 基于 au 修饰 mos base sub
【主权项】:
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