[实用新型]半导体器件结构有效
| 申请号： | 201821811099.3 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN209487516U | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 毛焜;雷天飞 | 申请（专利权）人： | 上海晶丰明源半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（上海）*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体器件结构，包括：第一掺杂类型的衬底、第二掺杂类型的第一阱区、第一漏极、第一源极、第一栅氧化层、多晶硅栅极、第二栅氧化层、第二掺杂类型的衬底材料层、第二掺杂类型的第二阱区、第二漏极、第二源极及第一掺杂类型的体区。本实用新型的半导体器件结构在获得高耐压的前提下，可以有效降低比导通电阻，打破了现有的硅极限。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂类型 半导体器件结构 本实用新型 栅氧化层 漏极 源极 阱区 比导通电阻 衬底材料层 多晶硅栅极 高耐压 衬底 体区 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构包括：第一掺杂类型的衬底；第二掺杂类型的第一阱区，位于所述第一掺杂类型的衬底内；第一漏极，位于所述第二掺杂类型的第一阱区内；第一源极，位于所述第一掺杂类型的衬底内；第一栅氧化层，位于所述第一掺杂类型的衬底上表面；多晶硅栅极，位于部分所述第一栅氧化层的上表面；第二栅氧化层，位于所述多晶硅栅极的上表面及部分所述第一栅氧化层的上表面；第二掺杂类型的衬底材料层，位于所述第二栅氧化层的上表面；第二掺杂类型的第二阱区，位于所述第二掺杂类型的衬底材料层内；第二漏极，位于所述第二掺杂类型的衬底材料层内，且位于所述第二掺杂类型的第二阱区的一侧；所述第二漏极与所述第一漏极短接；第二源极，位于所述第二掺杂类型的衬底材料层内，且位于所述第二掺杂类型的第二阱区背离所述第二漏极的一侧；所述第二源极与所述第一源极短接；第一掺杂类型的体区，位于所述第二掺杂类型的衬底材料层内，且位于所述第二源极与所述第二掺杂类型的第二阱区之间。
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