[实用新型]一种半导体级石英坩埚有效
| 申请号： | 201821804915.8 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN209144025U | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 何玉鹏 | 申请（专利权）人： | 宁夏富乐德石英材料有限公司 |
| 主分类号： | C03C3/06 | 分类号： | C03C3/06;C03B20/00 |
| 代理公司： | 宁夏合天律师事务所 64103 | 代理人： | 孙彦虎 |
| 地址： | 750021 宁夏回*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 一种半导体级石英坩埚，包括石英坩埚本体、第一保护层、第二保护层、第三保护层，所述第一保护层设置于石英坩埚本体的内表面上，所述第二保护层设置于第一保护层的上表面，所述第三保护层设置于第一保护层的下表面，所述第二保护层的高度与所述第三保护层的高度相同，所述第二保护层厚度与所述第三保护层厚度相同，所述第二保护层与所述第三保护层在第一保护层表面上相接触，形成完整平滑的层面，第一保护层相对现有技术的微气泡层更厚，第二保护层降低了微气泡引起的硅液面抖动，第三保护层实现半导体级硅棒在拉晶过程中不析晶，实现石英坩埚生产半导体级硅棒，明显降低了半导体级硅棒的结晶缺陷，降低引晶次数，拉晶过程中不会析晶。 | ||
| 搜索关键词： | 第二保护层 第一保护层 保护层 石英坩埚 半导体级硅 半导体级 拉晶 析晶 结晶缺陷 微气泡层 硅液面 内表面 上表面 微气泡 下表面 抖动 平滑 引晶 生产 | ||
【主权项】：
1.一种半导体级石英坩埚，其特征在于：包括石英坩埚本体、第一保护层、第二保护层、第三保护层，所述第一保护层设置于石英坩埚本体的内表面上，所述第二保护层设置于第一保护层的上表面，所述第三保护层设置于第一保护层的下表面，所述第二保护层的高度与所述第三保护层的高度相同，所述第二保护层与所述第三保护层在第一保护层表面上相接触，形成完整平滑的层面。
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