[实用新型]微波天线调控磁增强线形等离子体源发生装置有效
申请号: | 201821746911.9 | 申请日: | 2018-10-26 |
公开(公告)号: | CN209676566U | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
发明(设计)人: | 张文瑾;陈龙威;江贻满;刘成周;赵颖;单家芳;刘甫坤 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
主分类号: | H05H1/46 | 分类号: | H05H1/46 |
代理公司: | 34112 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 | 代理人: | 宋仔娟<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 230031 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种微波天线调控磁增强线形等离子体源发生装置,包括腔体,腔体上半部为微波等离子体放电腔,下半部为等离子体扩散腔,放电腔外部设有磁铁组件,扩散腔底部设有真空机组。其中放电腔为等离子体产生区,设有与气源连接的上、下进气管以及与微波源相连接的同轴圆波导,同轴圆波导内设有同轴微波天线。本装置通过磁场增强和同轴微波天线,提高等离子体密度,调节微波传输过程中能量损耗及馈入从而激发工作气体产生高密度线形微波等离子体源,并在扩散腔形成较均匀的高密度等离子体分布。本实用新型的微波天线调控磁增强线形等离子体源发生装置,结构简单、生产效率高,可用于薄膜材料制备或用于材料表面改性。 | ||
搜索关键词: | 微波天线 放电腔 本实用新型 等离子体源 发生装置 磁增强 扩散腔 圆波导 腔体 同轴 等离子体 等离子体产生区 高密度等离子体 微波等离子体源 材料表面改性 等离子体扩散 同轴微波天线 微波等离子体 薄膜材料 磁场增强 磁铁组件 工作气体 能量损耗 生产效率 微波传输 下进气管 真空机组 上半部 微波源 下半部 调控 可用 馈入 气源 制备 激发 外部 | ||
【主权项】:
1.微波天线调控磁增强线形等离子体源发生装置,包括腔体,其特征在于:所述腔体上半部为微波等离子体放电腔,下半部为等离子体扩散腔,放电腔外部设有磁铁组件,扩散腔底部设有真空机组,所述放电腔设有与气源连接的上、下进气管以及与微波源相连接的同轴圆波导,所述同轴圆波导由铜内导体与套在铜内导体外的石英玻璃管组成,以铜内导体作为同轴圆波导的内导体,以被石英玻璃管与铜内导体之间的微波电场激发的等离子体作为同轴圆波导的外导体;所述同轴圆波导中的铜内导体与石英玻璃管之间设有同轴微波天线。/n
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