[实用新型]一种强化磁场强度的电路结构有效
| 申请号： | 201821739959.7 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN209170361U | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 叶信贤;陈良恺;邱重仁 | 申请（专利权）人： | 国巨电子（中国）有限公司;国巨股份有限公司 |
| 主分类号： | H04B1/40 | 分类号： | H04B1/40;H04W4/80 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 康艳青;姚开丽 |
| 地址： | 215011 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种强化磁场强度的电路结构，其适用于近场通讯(Near‑field communication，NFC)天线装置，以增强NFC天线装置的信号。NFC天线装置包含NFC天线和NFC芯片。此强化磁场强度的电路结构包含信号放大电路和阻抗匹配电路。信号放大电路设置于NFC天线与NFC芯片之间，以放大NFC芯片所传送的NFC数据信号，并将放大后的NFC数据信号传送至NFC天线。阻抗匹配电路设置于NFC天线以及信号放大电路之间，用以匹配信号放大电路与NFC天线之间的传输线阻抗。NFC天线为线圈状，且定义出环绕区域。NFC芯片、信号放大电路与阻抗匹配电路位于环绕区域内。 | ||
| 搜索关键词： | 信号放大电路 阻抗匹配电路 电路结构 磁场 环绕区域 放大 数据信号传送 传输线阻抗 放大电路 匹配信号 数据信号 天线装置 线圈状 近场 传送 通讯 | ||
【主权项】：
1.一种强化磁场强度的电路结构，适用于近场通讯天线装置，该近场通讯天线装置包含近场通讯天线以及近场通讯芯片，该强化磁场强度的电路结构的特征在于，包含：信号放大电路，设置于该近场通讯天线与该近场通讯芯片之间，用以放大该近场通讯芯片所传送的近场通讯数据信号，并将放大后的该近场通讯数据信号传送至该近场通讯天线；以及阻抗匹配电路，设置于该近场通讯天线以及该信号放大电路之间，用以匹配该信号放大电路与该近场通讯天线之间的传输线阻抗；其中该近场通讯天线为线圈状，且定义出环绕区域，该近场通讯芯片、该信号放大电路以及该阻抗匹配电路位于该环绕区域内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国巨电子（中国）有限公司;国巨股份有限公司，未经国巨电子（中国）有限公司;国巨股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821739959.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种户外运动用紧急通讯装置
- 下一篇：一种射频组件、传导测试设备及终端
