[实用新型]一种外延结构有效
| 申请号： | 201821710818.2 | 申请日： | 2018-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN209046008U | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 李鸿建;陈志标 | 申请（专利权）人： | 武汉云岭光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01L33/12;H01L33/06;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 436000 湖北省武汉市东湖新技术开发*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种外延结构，包括InP衬底，以及依次生长在所述InP衬底上的InP缓冲层、空穴阻挡层、下波导层、多量子阱层、上波导层以及电子阻挡层；其中，所述多量子阱层中插入有空穴注入层。与传统外延结构的空穴由上波导层往下逐步注入到多量子阱层中的各个阱层中相比，本实用新型提供的外延结构中的空穴可通过空穴注入层快速注入到多量子阱层中，能够极大提高InP系材料的空穴注入效率，进而提高半导体激光器芯片带宽。 | ||
| 搜索关键词： | 多量子阱层 外延结构 空穴 本实用新型 空穴注入层 上波导层 衬底 半导体激光器芯片 半导体技术领域 空穴注入效率 电子阻挡层 空穴阻挡层 下波导层 阱层 带宽 生长 | ||
【主权项】：
1.一种外延结构，其特征在于：包括InP衬底，以及依次生长在所述InP衬底上的InP缓冲层、空穴阻挡层、下波导层、多量子阱层、上波导层以及电子阻挡层；其中，所述多量子阱层中插入有空穴注入层。
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