[实用新型]全电介质材料的多通道聚焦涡旋光束产生器有效

专利信息
申请号: 201821638646.2 申请日: 2018-10-10
公开(公告)号: CN209148978U 公开(公告)日: 2019-07-23
发明(设计)人: 李冠海;欧凯;郁菲茏;赵增月;陈金;陈效双;陆卫 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: G02B27/09 分类号: G02B27/09
代理公司: 上海沪慧律师事务所 31311 代理人: 郭英
地址: 200083 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 专利公开了一种全电介质材料的多通道聚焦涡旋光束产生器,包括衬底、介质纳米柱阵列。这些介质纳米柱按照特定的方式排布在衬底上;本专利通过选择合适的纳米柱周期与纳米柱的尺寸(长﹑宽﹑高),通过引入几何相位,调节纳米柱绕其中心轴的旋转角度,从而实现对透过光束的波前相位进行全相位操控。将透镜和涡旋相位板的功能集成到一块介质纳米柱阵列器件上,实现对涡旋光束的聚焦,在设定的焦平面上产生“甜甜圈式”的能量密度分布。基于全息原理,在一个器件上实现了涡旋光束的多路产生。本专利大大提升了涡旋光产生器件的效率,降低器件的尺寸,提高了器件的可集成性。
搜索关键词: 涡旋 纳米柱 电介质材料 光束产生器 纳米柱阵列 聚焦 多通道 衬底 透镜 光产生器件 波前相位 功能集成 几何相位 降低器件 可集成性 密度分布 全息原理 焦平面 全相位 甜甜圈 相位板 中心轴 操控 多路 排布 引入
【主权项】:
1.一种全电介质材料的多通道聚焦涡旋光束产生器,包括衬底(2)、电介质纳米柱阵列(1),其特征在于:所述的多通道聚焦涡旋光束产生器的结构为:在所述的衬底(2)上生长电介质纳米柱阵列(1);所述衬底(2)的材料是二氧化硅、氮化硅、宝石片、锗或氟化镁;所述电介质纳米柱阵列(1)的材料是二氧化钛、硅、锗、氮化镓或硫化锌,纳米柱高度为500nm~2000nm,纳米柱的周期,即相邻纳米柱的间距,为300nm~1800nm,纳米柱的长和宽的为70nm~1500nm,纳米柱的旋转为0~π弧度。
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