[实用新型]生长在Ti衬底上的InGaN纳米柱有效
| 申请号： | 201821604602.8 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN209507579U | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 李国强;徐珍珠;张曙光;高芳亮;温雷;余粤锋 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00;B82Y10/00;B82Y30/00;B82Y40/00;C01B3/04 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;冯振宁 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了生长在Ti衬底上的InGaN纳米柱，包括生长在Ti衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的InGaN纳米柱。本实用新型采用的Ti衬底价格低廉，有利于降低器件成本；其次，本实用新型采用的Ti衬底导电性能好，可以直接作为器件的电极，无需制备欧姆接触电极，简化了器件工艺。本实用新型的InGaN纳米柱晶体质量好，禁带宽度可调，比表面积大，可实现可见光光谱响应，适用于光电解水产氢。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 本实用新型 纳米柱 生长 欧姆接触电极 可见光光谱 导电性能 降低器件 宽度可调 器件工艺 光电解 电极 禁带 制备 水产 响应 | ||
【主权项】：
1.生长在Ti衬底上的InGaN纳米柱，其特征在于，包括Ti衬底（1），生长在Ti衬底（1）上的AlN缓冲层（2），生长在AlN缓冲层（2）上的InGaN纳米柱（3）。
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