[实用新型]一种研磨过程中减少硅片破裂的装置有效

专利信息
申请号: 201821515252.8 申请日: 2018-09-17
公开(公告)号: CN209288995U 公开(公告)日: 2019-08-23
发明(设计)人: 高威;贺贤汉;徐红林 申请(专利权)人: 杭州中芯晶圆半导体股份有限公司;上海申和热磁电子有限公司
主分类号: B24B37/27 分类号: B24B37/27;B24B55/00
代理公司: 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 代理人: 顾兰芳
地址: 310000 浙江省杭州市萧山区*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型提供一种研磨过程中减少硅片破裂的装置,包括一钢制的游星轮,游星轮的边缘等间距开设有梯形缺口,游星轮的外侧套设有一环状的缓冲层,缓冲层的内侧设有与梯形缺口相匹配的梯形凸起,缓冲层与游星轮通过机械压合;梯形缺口的上底宽2.5mm、下底宽5mm、高2.5mm,且梯形缺口是一等腰梯形。
搜索关键词: 梯形缺口 游星轮 缓冲层 研磨 硅片 底宽 破裂 本实用新型 机械压合 梯形凸起 钢制 匹配
【主权项】:
1.一种研磨过程中减少硅片破裂的装置,其特征在于,包括一钢制的游星轮,所述游星轮的边缘等间距开设有梯形缺口,所述游星轮的外侧套设有一环状的缓冲层,所述缓冲层的内侧设有与所述梯形缺口相匹配的梯形凸起,所述缓冲层与所述游星轮通过机械压合;所述梯形缺口的上底宽2.5mm、下底宽5mm、高2.5mm,且所述梯形缺口是一等腰梯形。
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