[实用新型]一种研磨过程中减少硅片破裂的装置有效
申请号: | 201821515252.8 | 申请日: | 2018-09-17 |
公开(公告)号: | CN209288995U | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
发明(设计)人: | 高威;贺贤汉;徐红林 | 申请(专利权)人: | 杭州中芯晶圆半导体股份有限公司;上海申和热磁电子有限公司 |
主分类号: | B24B37/27 | 分类号: | B24B37/27;B24B55/00 |
代理公司: | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人: | 顾兰芳 |
地址: | 310000 浙江省杭州市萧山区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型提供一种研磨过程中减少硅片破裂的装置,包括一钢制的游星轮,游星轮的边缘等间距开设有梯形缺口,游星轮的外侧套设有一环状的缓冲层,缓冲层的内侧设有与梯形缺口相匹配的梯形凸起,缓冲层与游星轮通过机械压合;梯形缺口的上底宽2.5mm、下底宽5mm、高2.5mm,且梯形缺口是一等腰梯形。 | ||
搜索关键词: | 梯形缺口 游星轮 缓冲层 研磨 硅片 底宽 破裂 本实用新型 机械压合 梯形凸起 钢制 匹配 | ||
【主权项】:
1.一种研磨过程中减少硅片破裂的装置,其特征在于,包括一钢制的游星轮,所述游星轮的边缘等间距开设有梯形缺口,所述游星轮的外侧套设有一环状的缓冲层,所述缓冲层的内侧设有与所述梯形缺口相匹配的梯形凸起,所述缓冲层与所述游星轮通过机械压合;所述梯形缺口的上底宽2.5mm、下底宽5mm、高2.5mm,且所述梯形缺口是一等腰梯形。
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