[实用新型]一种基于3-巯基丙磺酸修饰栅极金电极的L-半胱氨酸传感器有效
| 申请号： | 201821387694.9 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN208860791U | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 肖忠良;肖情;朱钦;曹忠;陈琳;杨丽琴;李文锋;全浩;于鑫垚 | 申请（专利权）人： | 长沙理工大学 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26;G01N27/327 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 刘佳芳 |
| 地址： | 410114 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于3‑巯基丙磺酸修饰栅极金电极的L‑半胱氨酸传感器，所述传感器包括场效应晶体管，所述场效应晶体管上设有栅极延长的金电极，所述栅极延长的金电极中，所述栅极部分延长0.1—500mm的距离，金电极表面组装有3‑巯基丙磺酸膜。本实用新型将3‑巯基丙磺酸(MPS)修饰在栅极延长出来的金电极的金膜层表面上，形成一种简易的MPS自组装延长栅金电极(GGE)，利用场效应晶体管原位信号放大作用对L‑半胱氨酸实现灵敏检测。该传感器对L‑半胱氨酸具有良好的能斯特响应关系，线性范围为5.0×10‑7—1.0×10‑3mol/L，响应灵敏度为58.91±1.19mV/‑pC(25℃)，检出限为3.3×10‑7mol/L。其制备过程简单便捷，响应时间快，在生命科学、临床医学等方面具有重要的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 金电极 巯基丙磺酸 传感器 场效应晶体管 半胱氨酸 栅极延长 修饰 本实用新型 金电极表面 响应灵敏度 放大作用 临床医学 灵敏检测 生命科学 响应关系 原位信号 制备过程 检出限 金膜层 延长栅 自组装 组装 简易 响应 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于3‑巯基丙磺酸修饰栅极金电极的L‑半胱氨酸传感器，所述传感器包括场效应晶体管，所述场效应晶体管上设有栅极延长的金电极，其特征在于，所述栅极延长的金电极中，所述栅极部分延长0.1—500mm的距离，金电极的金膜层(10)表面组装有3‑巯基丙磺酸膜(12)。
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